米勒效应(详细解释MOS管的米勒效应)
详细解释MOS管的米勒效应。
米勒平台形成的基本原理
MOSFET的栅极驱动过程可以简单理解为驱动源对MOSFET输入电容(主要是栅源电容Cgs)的充放电过程；当Cgs达到阈值电压时，M优优资源网的OSFET将进入开路状态；当MOSFET导通时，Vds开始下降，Id开始上升，然后MOSFET进入饱和区；然而，由于米勒效应，Vgs在一段时间内不会上升，此时Id已经达到其最大值，而Vds继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs上升到驱动电压的值。此时MOSFET进入电阻区，此时Vds完全下降，导通结束。
米勒电容阻止Vgs上升，从而阻止Vds下降，会延长损耗时间。(当Vgs上升时，导通电阻下降，因此Vds下降)
米勒效应在MOS驱动中是臭名昭著的。这是由MOS晶体管的密勒电容引起的。在MOS晶体管的导通过程中，GS电压上升到一定的电压值，然后GS电压又开始上升，直到完全导通。为什么会有稳定值段？因为，在MOS开启之前，D极电压大于G极电压，MOS寄生电容Cgd储存的电需要在开启时注入G极，中和其中的电荷。因为在MOS完全导通之后，G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的导通损耗。(MOS管不能快速进入开关状态)
于是就有了所谓的图腾驱动！！选择MOS时，Cgd越小，导通损耗越小。米勒效应不可能完全消失。
MOSFET中的米勒平台实际上是MOSFET处于“放大区”的典型标志
用示波器测量GS电压，可以看出电压上升过程中有一个平台或坑，这就是米勒平台。
米勒平台形成的详细过程
米勒效应是指MOS管开启过程中会产生米勒平台，原理如下。
理论上，在驱动电路的G级和S级之间增加足够的电容可以消除米勒效应。但是这个时候切换时间会很长。推荐值加上0.1厘米的电容值是有益的。
下面粗黑线中平缓的部分是米勒平台。
电荷系数的这个数字处于第一个转折点:Vds开始导通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成差分。由于Vds近似线性下降，因此线性差分是一个常数，从而在Vgs处形成一个平台。
米勒平台是由mos的g d两端电容引起的，即mos数据表中的Crss。
这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化不大。当Cgd充电至Vgs电平时，Vgs开始继续上升。
mos刚导通时，Cgd通过mos快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担驱动电流，使得Cgs上的电压上升缓慢，出现一个平台。
T0~t1: Vgs从0到Vth。Mosfet未开启。电流是由寄生二极管Df引起的。
t1~t2:从Vth到Va. Id的Vgs
T2~t3: Vds下降，导致电流继续流经CGD。VDD越高，花费的时间越长。
Ig是驱动电流。
它开始快速下降。当Vdg接近零时，Cgd增加。直到Vdg变为负值，Cgd增加到最大值。下降缓慢。
T3~t4: Mosfet完全导通，运行在电阻区。Vgs继续上升到Vgg。
平台后期，VGS持续增加，而IDS变化不大，因为MOS已经饱和。。。不过从楼主的图来看，这个平台还是有长度的。
在这个平台期，可以认为MOS处于放大期。
在上一个拐点之前:MOS截止时间，此时Cgs充电，Vgs被迫向Vth移动。
在之前的拐点:MOS正式进入放大期。
在后一个拐点:MOS正式退出放大期，开始进入饱和期。
当斜率为dt的电压V施加于电容C(如驱动器的输出电压)时，电容中的电流将增加:
I=CdV/dt (1)
因此，在MOSFET上施加电压时，将产生输入电流Igate = I1+I2，如下图所示。
在右边的电压节点上，可以用公式(1)得到:优优资源网络。
I1 = Cgdd(Vgs-Vds)/dt = Cgd(dVgs/dt-dVds/dt)(2)
I2=Cgsd(Vgs/dt) (3)
如果栅极-源极电压Vgs施加于MOSFET，其漏极-源极电压Vds将降低(即使是以非线性方式)。因此，连接这两个电压的负增益可以定义为:
Av=- Vds/Vgs (4)
将公式(4)代入公式(2)，我们可以得到:
I1=Cgd(1+Av)dVgs/dt (5)
在开关过程中(开或关)，栅极-源极的总等效电容Ceq为:
igate = I1+I2 =(Cgd(1+Av)+Cgs)dVgs/dt = CeqdVgs/dt(6)
公式中的(1+Av)项称为米勒效应，描述了电子器件中输出端和输入端之间的容性反馈。当栅漏电压接近零时，就会出现米勒效应。
Cds分流最严重的阶段是在放大区。为什么？因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台就是在这个阶段形成的。你可以认为栅极电流Igate完全被Cds吸收，但没有电流流向Cgs。
当Cgd通过mos放电时(即Cgd先在平台区放电，再由Vgs充电)，MOS进入饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs的增长也能让一部分电流像Cds一样流动，但是主栅电流流向Cgs。栅极电流分流比:I1: I2 = CDS: CGS，看看谁的电流更大？
当mos放电结束时，近似假设所有栅极电流都流经Cgs，因此Vgs再次开始增加。
请注意数据手册中的表述。
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
