今天和大家分享一下关于欧姆接触(欧姆接触和肖特基接触)的问题。以下是边肖对这个问题的总结。让我们来看看。
一、欧姆接触的介绍
二、什么是欧姆接触
3。欧姆接触是如何形成的？
为了形成良好的欧姆接触，有两个先决条件:
(1)金属和半导体之间存在低能垒。
(2)半导体掺杂了高浓度的杂质。
前者可以增加界面电流中的热激发部分，后者可以缩小半导体的耗尽区，使电子有更多的机会直接隧穿，同时降低Rc电阻。
扩展数据:
当半导体重掺杂时，其与金属的接触具有近似线性且对称的电流-电压关系，并且具有较小的接触电阻，因此接近于理想的欧姆接触。
制作欧姆接触最常见的方法是用重掺杂半导体与金属接触，如金属-n+-n和金属-p+-P结构。因为有n+和p+层，金属的选择相对自由，可以考虑工艺和使用要求上的问题。形成金属与半导体接触的方法有很多，如蒸镀、溅射、电镀等。
四、欧姆接触和肖特基接触是什么？
欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触，也就是说在接触点存在纯电阻，电阻越小越好，这样模块工作时大部分电压降在有源区而不是接触面。因此，其I-V特性呈线性，斜率越大，接触电阻越小，直接影响器件的性能指标。
肖特基接触是指金属与半导体材料接触时，半导体的能带在界面处发生弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在导致大的界面电阻。对应于欧姆接触，界面处的势垒很小或者没有接触势垒。
扩展数据:
肖特基接触到欧姆接触的转变:二维(2D) InSe的电子迁移率高达10 ^ 3cm ^ 2v-1s-1，与黑磷相当，可以在空气体中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触来实现载流子注入。
但接触界面会形成有限的肖特基势垒，降低载流子的注入效率，增加接触电阻，从而大大削弱器件性能。因此，通过调整接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触对于高性能半导体器件的设计、组装和制造是非常重要的。
