二极管参数（二极管参数查询）

今天给大家分享一下关于二极管参数的问题（二极管参数查询）。以下是这个问题的总结。让我们来看看。

二极管参数（二极管参数查询）

二极管的主要参数是什么？

1.最大整流电流if是指二极管长时间工作时允许的最大正向平均电流。因为通过PN结的电流会导致二极管发热，如果电流过大且发热值超过限值，PN结就会烧坏。

2.额定正向工作电流是指二极管长时间连续工作时允许的最大正向电流。因为当电流通过二极管时，芯片会发热，温度会升高。当温度超过允许极限时（硅管约为140°，锗管约为90°），芯片将过热并损坏。因此，二极管不应超过所用二极管的额定正向工作电流。

3.当二极管两端的反向电压加上最大反向工作电压达到一定值时，二极管将被击穿并失去其单向导电性。为了保证使用安全，规定了最大反向工作电压。反向击穿电压VBR是指二极管反向时的电压值。击穿时，反向电流急剧增加，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧毁。一般手册中给出的最大反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保二极管的安全工作。

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二极管参数大全

二极管参数符号:

CT势垒电容

Cj结（电极间）电容；表示对二极管施加指定偏压时锗检测器二极管的总电容。

cjv-偏置结电容

公共零偏置电容器

cjo-零偏压结电容

Cjo/cjn-结电容变化

cs-外壳电容或封装电容

CT-总电容

CTV电压温度系数。测试电流下稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比。

CTC-电容器的温度系数

CVN-标称电容

中频-正向DC电流（正向测试电流）。锗检测二极管在规定的DC电压VF下通过电极间的电流；硅整流管和硅堆在规定的使用条件下允许连续通过正弦半波的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向DC电流；测量齐纳二极管正向电参数时的给定电流

中频（av）-正向平均电流

IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。额定功率下二极管的最大允许正向脉冲电流。发光二极管的极限电流。

IH-恒流，保持电流。

ii-；发光二极管辉光电流

IFRM正在重复峰值电流。

IFSM正向非重复峰值电流（浪涌电流）

Io整流电流。特定线路在特定频率和电压下的工作电流。

if（ov）-正过载电流

IL-光电流或稳定二极管的极限电流

ID-暗电流

单结晶体管中的IB2基极调制电流

IEM发射极峰值电流

ieb 10-双基单结晶体管发射极和第一基极间的反向电流

双基单结晶体管中的IEB20发射极电流

ICM-最大平均输出电流

IFMP正向脉冲电流

IP峰值电流

ⅳ-谷电流

晶闸管控制电极的IGT触发电流

IGD-晶闸管控制电极不触发电流。

IGFM-控制电极的正峰值电流

IR（av）-反向平均电流

η ——单结晶体管的分压比或效率。

反向峰值击穿电压

Vc整流输入电压

vb2b 1-基极间电压

vbe 10-发射极和第一基极之间的反向电压。

VEB饱和压降

VFM-最大正向压降（正向峰值电压）

VF-直接电压降（正向DC电压）

△VF-正压降差

VDRM-关闭状态下的重复峰值电压

VGT门触发电压

VGD栅极电压未被触发。

VGFM-栅极正峰值电压

VGRM-栅极反向峰值电压

扩展数据:

其他参数:

PMP-最大泄漏脉冲功率

PMS-最大耐受脉冲功率

po-输出功率

PR-反向浪涌功率

ptot-总耗散功率

pomax-最大输出功率

PSC-连续输出功率

PSM-非重复浪涌功率

二极管的阳极和阴极。正极端子A称为阳极，负极端子K称为负极；这叫阴极。电流只能从阳极流向阴极。一些初学者容易产生这样一个误区:“一个半半导体就是一半”；而且二极管只有‘一半’电流（这是错误的），所有二极管都是半导体；".事实上，二极管和半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体允许电流双向流动。

二极管-百度百科

选择二极管时主要考虑哪些参数？

不同类型的二极管具有不同的特性参数。选择二极管时，您必须了解以下主要参数:

1.最大整流电流if:二极管长时间连续工作时允许的最大正向平均电流，与PN结面积和外部散热条件有关。因为当电流通过管子时，模具会发热，温度会升高。当温度超过允许极限时（硅管约为141°，锗管约为90°），芯片将过热并损坏。

2.最大反向工作电压Udrm:当二极管两端施加的反向电压达到一定值时，灯管将被击穿并失去其单向导电性。为了保证使用安全，规定了最大反向工作电压。例如，IN4001二极管的反向耐压为50V，IN4007的反向耐压为1000V。

3.反向电流Idrm:反向电流是指在常温（25℃）和最高反向电压下流经二极管的反向电流。反向电流越小，管的单向导电性越好。值得注意的是，反向电流与温度密切相关。温度每升高10℃，反向电流就会增加一倍。

4.动态电阻Rd:二极管特性曲线静态工作点Q附近的电压变化与相应电流变化的比值。

5.最大工作频率FM: FM是二极管工作的上限频率。由于二极管与PN结相同，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结的结电容。如果超过这个值。单边导电性将受到影响。

6.电压-温度系数αuz:温度升高一摄氏度时稳定电压的相对变化。uz约为6v的齐纳二极管具有良好的温度稳定性。

扩展数据

二极管发光分类:

1.根据LED的发光颜色。

根据LED的发光颜色，可分为红色、橙色、绿色（黄绿色、标准绿色和纯绿色）和蓝色光。一些led包含两种或三种颜色的芯片。

根据发光二极管是否掺杂散射体、有色或无色，上述颜色的发光二极管可分为四种类型:有色透明、无色透明、有色散射和无色散射。散射led适用于指示灯。

2.根据LED发光面的特性。

根据LED的发光表面特性，可分为圆形灯，方形灯，矩形，表面LED，侧管和用于表面安装的微管。

圆形灯的直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm和φ20mm。在国外，φ3mm发光二极管通常记为T-1；保持

；φ5mm标记为T-1（3/4）；φ4.4毫米指定为T-1（1/4）。圆形光强的角分布可以用半值角来估计。从发光强度的角度分布图来看，有三种类型:

高指向性:一般为尖头环氧封装或带有金属反射腔的封装，不添加散射剂。半值角为5° ~ 20°或更小，具有较高的方向性，可用作局部照明光源或与光电探测器组合形成自动检测系统。

标准型:通常用作指示灯，半值角为20° ~ 45°。

散射型:这是一种视角较大的指示灯，半值角在45 ~ 90°以上，散射剂较多。

百度百科-二极管

肖特基二极管参数

1.肖特基二极管的性能参数如下:

1.VF正向压降

2.最大正向压降为2。VFM

3.VBR反向击穿电压

4.VRMS可以承受的均方根输入电压。

5.VRWM反向峰值工作电压

6.6.VDC的最大DC阻断电压

7.Trr反向恢复时间

8.中频正向电流

9.最大正向浪涌电流为9。IFSM

10.IR反向电流峰值反向电压

11.t游离空气体的环境温度。

12.TJ工作结温

13.TRMS储存温度范围

14、TC反向峰值工作电压外壳温度

扩展数据:

肖特基二极管肖特基二极管也称为肖特基势垒二极管（SBD），是一种低功耗超高速半导体器件。

最显著的特点是反向恢复时间很短（小至几纳秒），正向导通压降仅约0.4V .多用作高频、低压和大电流的整流二极管、续流二极管和保护二极管，在微波通信电路中也用作整流二极管和小信号检测器二极管。常用于通信电源和变频器。

一个典型的应用是在双极晶体管BJT的开关电路中，一个肖克利二极管连接到BJT以箝位它，这样晶体管在导通时实际上处于非常关断的状态，从而提高了晶体管的开关速度。这种方法用于74LS、74ALS和74AS等典型数字集成电路的TTL内部电路。

肖特基二极管的最大特点是正向压降VF相对较小。在相同电流下，正向压降要小得多。它的恢复时间很短。它也有一些缺点:耐压低，漏电流略大。选择的时候要综合考虑。

百度百科-肖特基二极管

二极管参数是什么？

1.参数:CT-势垒电容，Cj-结电容（）；这意味着二极管电容、Cjv偏置结电容和Co-zero偏置电压是在二极管上的指定偏置电压下检测到的。

2.电容是用来表示二极管性能和应用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管具有不同的特性参数。伏安特性:二极管具有单侧导电性，二极管的伏安特性曲线，二极管的伏安特性曲线。

3.二极管的伏安特性曲线。二极管加上DC电压，电压值很小，电流也很小；当电压超过0.6V时，电流开始呈指数增加，通常称为二极管的导通电压。当电压达到约0.7V时，二极管完全导通。该电压通常称为二极管的导通电压，用符号UD表示。

4.对于锗二极管，导通电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V .反向电压施加于二极管。当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流is。当反向电压超过一定值时，电流开始急剧增加，称为反向击穿。该电压称为二极管反向击穿电压，用符号UBR表示。不同类型二极管的击穿电压UBR变化很大，从几十伏到几千伏不等。