今天给大家分享一下场效应管代换的问题（场效应管代换的原理）。以下是这个问题的总结。让我们来看看。
FET的替换规则是什么？
在主板上，FET的更换规则是:
1.1的替换。FET只需要相同的尺寸，因此可以区分N沟道和P沟道。
2.在场效应管的替换中，可以用大功率场效应管替换小功率场效应管。
3、场效应管更换，千兆主板场效应管最好原值更换。
什么可以取代FQPF5N60C功率场效应晶体管？
FQPF5N60C功率场效应晶体管可由以下型号替代:
5N60、K3115、K2141、K2545、K3878、K2645、7N60B、10N60。
FQPF5N60C场效应晶体管参数:600伏4.5安33瓦。
外形封装图或电路图的符号如下图所示:
sp8595场效应晶体管的替代
MOS场效应晶体管的定性判断和结型场效应晶体管电极的定性判断。
场效应管替代原理的详细说明及其质量的判断首先，使用万用表r×10kω块（内置9V或15V电池）将负极触针（黑色）连接到栅极（G），将正极触针（红色）连接到电源（S）。在栅极和源极之间充电，此时，万用表指针略微偏转。
场效应管替代原理:将万用表设置为R×100，随意接一个脚管和一个红色插针，接另一个脚管和一个黑色插针，使第三脚挂空空。如果发现表针轻微摆动，则证明第三个指针是格子。
FET的替代原理是什么？
根据FET的一些相应参数，首先是一些硬性指标，如DS耐压、DS能承受的最大电流、GS耐压。考虑Rds、频率和开关时间等参数。
场效应晶体管（FET）是场效应晶体管的简称。有两种主要类型（结型场效应晶体管——JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（简称MOS-FET）。多数载流子传导也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（107 ~ 1015ω）、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
场效应晶体管替代技术的介绍到此为止。感谢您花时间阅读本网站的内容。不要忘记在该网站上查找有关FET替代原则和FET替代的更多信息。
